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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
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可控硅直流穩(wěn)壓電源和開關(guān)電源原理簡介
可控硅直流穩(wěn)壓電源，以其強大的輸出功率，晶體管線性直流電源和開關(guān)電源無法取代。晶體管線性直流電源以其精度高，性能優(yōu)越而被廣泛應(yīng)用。開關(guān)電源因省去了笨重的工頻變壓器而使體積和重量都有不同程度的減少，減輕，也被廣泛地應(yīng)用在許多輸出電壓、輸出電流較為穩(wěn)定的場合。
2009-07-31
可控硅電源 晶體管電源 開關(guān)電源優(yōu)缺點
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開關(guān)變壓器第十二講 電源鐵芯的設(shè)計風險
防止開關(guān)變壓器鐵芯出現(xiàn)磁飽和最簡單的另一種方法是采用反磁場，在變壓器鐵芯中安裝永久磁鐵，或在變壓器的初、次級線圈上另外增加一反向直流，并且此直流一般需要用扼流圈電感隔離，或用恒流源供電。由于在變壓器的初、次級線圈上另外增加一反向直流會降低開關(guān)電源的工作效率，以及增加成本，目前...
2009-07-29
電源鐵芯
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得可正面導線改進方案將在EU PVSEC展示
得可太陽能將利用今年的歐洲太陽能光伏展，展示標準印刷工藝如何開發(fā)以產(chǎn)生明顯的能效優(yōu)勢。9月21至25日在德國漢堡舉行的展會上，得可的資深工藝開發(fā)專家Tom Falcon將發(fā)表關(guān)于硅太陽能電池正面導線印刷面積比改進的新論文。
2009-07-29
EU PVSEC 太陽能 正面導線改進 歐洲太陽能光伏展 硅太陽能電池 正面導線印刷面積比
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SiT9002AI：SiTime公司推出降低EMI高達16dB的差分振蕩器
SiTime公司推出降低EMI高達16dB的差分振蕩器SiT9002AI
2009-07-28
SiT9002AI 振蕩器 SiTime
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電動汽車和混合動力汽車面臨三大難關(guān)
在汽車行業(yè)的未來發(fā)展方向上，電動汽車和油電混合動力汽車正成為一個明顯的趨勢。目前看來技術(shù)上比較可行的解決方案是混合動力，下一步就是純電動汽車，再下一步可能就是完全脫離電動的燃料電池汽車，燃料電池可能是最終的解決方案。
2009-07-28
電動汽車 混合動力 燃料電池
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2014年中國電信市場規(guī)模超日本 稱霸亞太
國外媒體報道，調(diào)研公司Pyramid Research最新報告顯示，2014年中國電信市場規(guī)模將達到1870億美元，從而超越日本稱霸亞太市場。 隨著3G網(wǎng)絡(luò)的推出，以及通信網(wǎng)絡(luò)不斷向農(nóng)村地區(qū)深入，中國的移動通產(chǎn)業(yè)將成為全球經(jīng)濟的晴雨表。丹尼爾·于稱，中國移動將把總支出的30%投入到2G網(wǎng)絡(luò)升級上，另外70%則用...
2009-07-28
電信市場 3G網(wǎng)絡(luò) 2G網(wǎng)絡(luò)升級
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提高開關(guān)電源待機效率的方法
隨著能源效率和環(huán)保的日益重要，人們對開關(guān)電源待機效率期望越來越高。目前大多數(shù)開關(guān)電源由額定負載轉(zhuǎn)入輕載和待機狀態(tài)時，電源效率急劇下降,待機效率不能滿足要求。這就給電源設(shè)計工程師們提出了新的挑戰(zhàn)。
2009-07-28
開關(guān)電源 待機效率 降頻 可控脈沖模式
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新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能
在實際的開關(guān)中，存在大量的正向和開關(guān)損耗。因而設(shè)計中的熱阻對模塊性能來說是至關(guān)重要的。本文討論IGBT2、IGBT3以及SEMITRANS?模塊采用的新IGBT4半導體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來的性能提升。
2009-07-28
IGBT
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