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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠(chǎng)家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠(chǎng)家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠(chǎng)家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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MKP 339 X2/338 2 X2/336 2 X2：Vishay新型X2 EMI抑制薄膜電容器
Vishay目前宣布，推出三款最大電源電壓可升至310 VAC的新型X2 電磁干擾（EMI）抑制薄膜電容器，該電容器具有較寬的引腳腳距和電容值范圍。
2008-09-26
MKP339 X2 MKP338 2 X2 MKP336 2 X2 薄膜電容器
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MKP 339 X2/338 2 X2/336 2 X2：Vishay新型X2 EMI抑制薄膜電容器
Vishay目前宣布，推出三款最大電源電壓可升至310 VAC的新型X2 電磁干擾（EMI）抑制薄膜電容器，該電容器具有較寬的引腳腳距和電容值范圍。
2008-09-26
MKP339 X2 MKP338 2 X2 MKP336 2 X2 薄膜電容器
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無(wú)源器件發(fā)展?fàn)顩r
對(duì)于越來(lái)越多的便攜電子系統(tǒng)來(lái)說(shuō),無(wú)源元件的小型化依然是一個(gè)重要課題.小型化的目標(biāo)是在較小的封裝中實(shí)現(xiàn)至少相同的性能.對(duì)于電容而言,不但要求在尺寸較小的封裝中實(shí)現(xiàn)更大的電容量,而且希望提高可耐受電壓;對(duì)于電阻而言,也要求在較小的封裝中達(dá)到相同或更高的性能。
2008-09-25
MLCC 電阻 鉭貼片電容
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無(wú)源器件發(fā)展?fàn)顩r
對(duì)于越來(lái)越多的便攜電子系統(tǒng)來(lái)說(shuō),無(wú)源元件的小型化依然是一個(gè)重要課題.小型化的目標(biāo)是在較小的封裝中實(shí)現(xiàn)至少相同的性能.對(duì)于電容而言,不但要求在尺寸較小的封裝中實(shí)現(xiàn)更大的電容量,而且希望提高可耐受電壓;對(duì)于電阻而言,也要求在較小的封裝中達(dá)到相同或更高的性能。
2008-09-25
MLCC 電阻 鉭貼片電容
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無(wú)源器件發(fā)展?fàn)顩r
對(duì)于越來(lái)越多的便攜電子系統(tǒng)來(lái)說(shuō),無(wú)源元件的小型化依然是一個(gè)重要課題.小型化的目標(biāo)是在較小的封裝中實(shí)現(xiàn)至少相同的性能.對(duì)于電容而言,不但要求在尺寸較小的封裝中實(shí)現(xiàn)更大的電容量,而且希望提高可耐受電壓;對(duì)于電阻而言,也要求在較小的封裝中達(dá)到相同或更高的性能。
2008-09-25
MLCC 電阻 鉭貼片電容
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TDK開(kāi)發(fā)出1005尺寸移動(dòng)設(shè)備用薄膜帶通濾波器
TDK公司宣布開(kāi)發(fā)出一款厚度僅0.3mm的1005尺寸薄膜帶通濾波器。TDK采用了其在HDD磁頭（TDK的主打產(chǎn)品）生產(chǎn)中研發(fā)的薄膜工藝，從而制造出真正低高度 (low-profile)且體積縮小至早期的2012尺寸產(chǎn)品1/12的濾波器。
2008-09-25
帶通濾波器
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